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通过对退火温度的优化，南网3年作者发现APD-IID在120°C的退火温度下可以表现出0.20cm2V-1s-1的最高空穴迁移率，南网3年这比其苯型同分异构体的最高迁移率高出一到两个数量级(1Py-IID:7.53×10-3cm2V-1s-1;2Py-IID:4.74×10-2cm2V-1s-1)。2019年加入南开大学化学学院，源参省4月依托元素有机化学国家重点实验室独立开展研究工作。
近日，间电该课题组首次以APD作为结构基元，间电发展了D-A-D型有机半导体分子APD-IID，通过与基于芘的同分异构体进行对比研究，揭示了非苯型APD衍生物的独特性质及其在有机半导体器件中的优势(图1)。这一工作不仅证明了非苯芳烃类分子在有机半导体材料中的巨大潜力，力现也为新型有机半导体材料的发展开辟了新体系与新机遇。图4.APD-IID与其苯型同分异构体(1Py-IID和2Py-IID)的电荷传输性能对比研究综上所述，场入该工作首次将非苯芳烃APD作为结构基元应用于新型有机半导体材料的创制，场入并通过与其苯型同分异构体的直接对比，揭示了其独特的电荷分离特征与在半导体器件中的优势。
芘作为经典的合成砌块已被广泛用于构筑高性能有机半导体材料，市名但其非苯型同分异构体APD还从未被应用于有机光电材料领域。从三个分子的薄膜二维掠入射广角X射线散射(2D-GIWAXS)图可以看出，单截APD-IID薄膜表现出清晰的衍射点，单截而1Py-IID表现出衍射环，2Py-IID表现出衍射弧，这说明APD-IID在固态下的堆积更为有序。
南开大学王小野课题组在2019年发展了新颖的合成策略实现了APD的高效克级制备，河北货市解决了长期以来APD难以合成的问题，河北货市为探索基于APD的新型有机半导体材料体系奠定了坚实的化学基础(X.-Y.Wang*etal.,J.Am.Chem.Soc.2021,143,5314−5318)。
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